| 高出力GaNデバイスは、次世代の半導体技術として注目されている材料であるガリウムナイトライド（GaN）を基にした電子デバイスの一群を指します。一般的に、高出力デバイスとは、比較的高い出力を必要とする応用において利用されるデバイスのことを言います。これには、通信、航空宇宙、電力変換、電動車両（EV）などの多様な分野が含まれます。 GaNは、窒化ガリウムという化合物半導体であり、その特性としては高いバンドギャップ、優れた熱伝導性、および高速スイッチング能力が挙げられます。これにより、GaNデバイスは高出力および高効率を実現することが可能となり、特に高周波数や高電圧の環境において優れた性能を発揮します。 高出力GaNデバイスの特徴として、まず第一に、非常に高い電気的強度を持つことがあります。従来のシリコンデバイスに対して、GaNデバイスは数倍から数十倍の電流密度を許容し、高電圧での動作も可能とします。さらに、高温耐性にも優れており、極端な環境条件下でも安定した動作が期待できるため、過酷な条件で使用される用途に適しています。 次に、GaNデバイスはスイッチング速度が非常に高いという特徴も持っています。このスイッチング速度は、データ通信や電源変換など、迅速な応答が求められる用途において大変重要です。高速スイッチングにより、エネルギーの損失を抑えられるため、効率の良いエネルギー管理を実現します。 高出力GaNデバイスには、主にモスフェット（MOSFET）やHEMT（High Electron Mobility Transistor）といった種類があります。これらは、それぞれ異なる動作原理に基づいており、特定の用途に応じて選ばれます。特にHEMTは、高い電子移動度を持ち、高周波数での動作が可能です。このため、無線通信分野やレーダー技術において広く用いられています。 また、こうしたデバイスはセラミック基板や金属基板上に配置されることが多く、これらの基板は熱管理やメカニカルな安定性を向上させるために重要です。高出力GaNデバイスの放熱設計は、性能を最大限に引き出すための鍵となります。冷却システムの導入や、先進的なパッケージング技術によって熱を効果的に管理することが求められます。 高出力GaNデバイスの主な用途は多岐にわたります。最初に挙げられるのは、通信インフラにおける利用です。5G通信や将来の6G通信では、広帯域幅と高出力が求められるため、GaNデバイスの役割がますます重要になります。また、衛星通信やレーダーシステムにおいても、GaNデバイスはその高周波特性により、帯域幅の広い信号処理を可能にします。 次に、電力変換回路における利用も見逃せません。GaNデバイスは、スイッチング電源やインバーターにおいて、高効率化を実現するための重要なコンポーネントとなっています。特に、電動車両や再生可能エネルギーシステムでは、エネルギー効率を最適化するために高出力GaNデバイスが活用されています。これにより、バッテリーの持続時間を延ばし、コストを削減することができます。 さらに、航空宇宙分野における高出力GaNデバイスの利用も増加しています。過酷な環境での耐久性や信頼性が求められるため、GaNの特性は非常に有効です。宇宙機器や航空機の電力管理システムにおいて、重量を軽減しつつ高出力を可能にするこれらのデバイスは、未来の技術革新に寄与することが期待されています。 このような高出力GaNデバイスの発展は、他の関連技術と連携しながら進んでいます。例えば、パワーエレクトロニクス技術の進歩やマイクロエレクトロニクスの発展、さらに機械学習などの先進的なアルゴリズムとの融合により、より効率的かつ高度なシステムの構築が可能となっています。これにより、各種産業におけるエネルギー効率やコストパフォーマンスの向上が実現されつつあります。 今後も、高出力GaNデバイスはさまざまな分野での応用が進展し、さらなる技術革新が期待されます。特に、環境問題への対応や持続可能なエネルギーの利用に向けた取り組みが進む中で、高効率なGaNデバイスはますます重要な役割を果たすことになるでしょう。プロセスの最適化や新しい製造技術の導入により、より高性能で低コストなデバイスの開発が進むことが期待されており、これが今後の市場の成長を促進する要因となるでしょう。 |
GlobalInfoResearch社の最新調査によると、世界の高出力GaNデバイス市場規模は2023年にxxxx米ドルと評価され、2031年までに年平均xxxx%でxxxx米ドルに成長すると予測されています。
本レポートは、世界の高出力GaNデバイス市場に関する詳細かつ包括的な分析です。メーカー別、地域別・国別、タイプ別、用途別の定量分析および定性分析を行っています。市場は絶え間なく変化しているため、本レポートでは競争、需給動向、多くの市場における需要の変化に影響を与える主な要因を調査しています。選定した競合企業の会社概要と製品例、および選定したいくつかのリーダー企業の2025年までの市場シェア予測を掲載しています。
*** 主な特徴 ***
高出力GaNデバイスの世界市場規模および予測：消費金額（百万ドル）、販売数量、平均販売価格、2019-2031年
高出力GaNデバイスの地域別・国別の市場規模および予測：消費金額（百万ドル）、販売数量、平均販売価格、2019-2031年
高出力GaNデバイスのタイプ別・用途別の市場規模および予測：消費金額（百万ドル）、販売数量、平均販売価格、2019-2031年
高出力GaNデバイスの世界主要メーカーの市場シェア、売上高（百万ドル）、販売数量、平均販売単価、2019-2025年
本レポートの主な目的は以下の通りです：
– 世界および主要国の市場規模を把握する
– 高出力GaNデバイスの成長の可能性を分析する
– 各製品と最終用途市場の将来成長を予測する
– 市場に影響を与える競争要因を分析する
本レポートでは、世界の高出力GaNデバイス市場における主要企業を、会社概要、販売数量、売上高、価格、粗利益率、製品ポートフォリオ、地理的プレゼンス、主要動向などのパラメータに基づいて紹介しています。本調査の対象となる主要企業には、Infineon、Texas Instruments、Integra Technologies、Qorvo、Wolfspeed、Efficient Power Conversion、GaN Systems、Nexperia、STMicroelectronics、GOHM、Navitas、Power Integrations、Transphorm、Panasonic、GaNPower、Toshiba、Mitsubishi Electricなどが含まれます。
また、本レポートは市場の促進要因、阻害要因、機会、新製品の発売や承認に関する重要なインサイトを提供します。
*** 市場セグメンテーション
高出力GaNデバイス市場はタイプ別と用途別に区分されます。セグメント間の成長については2019-2031年の期間においてタイプ別と用途別の消費額の正確な計算と予測を数量と金額で提供します。この分析は、適格なニッチ市場をターゲットとすることでビジネスを拡大するのに役立ちます。
[タイプ別市場セグメント]
トランジスタ、ダイオード
[用途別市場セグメント]
レーダー、衛星、基地局、インバーター、電源スイッチ、その他
[主要プレーヤー]
Infineon、Texas Instruments、Integra Technologies、Qorvo、Wolfspeed、Efficient Power Conversion、GaN Systems、Nexperia、STMicroelectronics、GOHM、Navitas、Power Integrations、Transphorm、Panasonic、GaNPower、Toshiba、Mitsubishi Electric
[地域別市場セグメント]
– 北米（アメリカ、カナダ、メキシコ）
– ヨーロッパ（ドイツ、フランス、イギリス、ロシア、イタリア、その他）
– アジア太平洋（中国、日本、韓国、インド、東南アジア、オーストラリア）
– 南米（ブラジル、アルゼンチン、コロンビア、その他）
– 中東・アフリカ（サウジアラビア、UAE、エジプト、南アフリカ、その他）
※本レポートの内容は、全15章で構成されています。
第1章では、高出力GaNデバイスの製品範囲、市場概要、市場推計の注意点、基準年について説明する。
第2章では、2019年から2025年までの高出力GaNデバイスの価格、販売数量、売上、世界市場シェアとともに、高出力GaNデバイスのトップメーカーのプロフィールを紹介する。
第3章では、高出力GaNデバイスの競争状況、販売数量、売上、トップメーカーの世界市場シェアを景観対比によって強調的に分析する。
第4章では、高出力GaNデバイスの内訳データを地域レベルで示し、2019年から2031年までの地域別の販売数量、消費量、成長を示す。
第5章と第6章では、2019年から2031年まで、タイプ別、用途別に売上高を区分し、タイプ別、用途別の売上高シェアと成長率を示す。
第7章、第8章、第9章、第10章、第11章では、2019年から2025年までの世界の主要国の販売数量、消費量、市場シェアとともに、国レベルでの販売データを分析する。2025年から2031年までの高出力GaNデバイスの市場予測は販売量と売上をベースに地域別、タイプ別、用途別で掲載する。
第12章、市場ダイナミクス、促進要因、阻害要因、トレンド、ポーターズファイブフォース分析。
第13章、高出力GaNデバイスの主要原材料、主要サプライヤー、産業チェーン。
第14章と第15章では、高出力GaNデバイスの販売チャネル、販売代理店、顧客、調査結果と結論について説明する。
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1 市場概要
1.1 製品の概要と範囲
1.2 市場推定と基準年
1.3 タイプ別市場分析
1.3.1 概要:世界の高出力GaNデバイスのタイプ別消費額：2020年対2024年対2031年
トランジスタ、ダイオード
1.4 用途別市場分析
1.4.1 概要:世界の高出力GaNデバイスの用途別消費額：2020年対2024年対2031年
レーダー、衛星、基地局、インバーター、電源スイッチ、その他
1.5 世界の高出力GaNデバイス市場規模と予測
1.5.1 世界の高出力GaNデバイス消費額（2020年対2024年対2031年）
1.5.2 世界の高出力GaNデバイス販売数量（2020年-2031年）
1.5.3 世界の高出力GaNデバイスの平均価格（2020年-2031年）
2 メーカープロフィール
※掲載企業リスト：Infineon、Texas Instruments、Integra Technologies、Qorvo、Wolfspeed、Efficient Power Conversion、GaN Systems、Nexperia、STMicroelectronics、GOHM、Navitas、Power Integrations、Transphorm、Panasonic、GaNPower、Toshiba、Mitsubishi Electric
Company A
Company Aの詳細
Company Aの主要事業
Company Aの高出力GaNデバイス製品およびサービス
Company Aの高出力GaNデバイスの販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2020-2024）
Company Aの最近の動向/最新情報
Company B
Company Bの詳細
Company Bの主要事業
Company Bの高出力GaNデバイス製品およびサービス
Company Bの高出力GaNデバイスの販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2020-2024）
Company Bの最近の動向/最新情報
…
…
3 競争環境：メーカー別高出力GaNデバイス市場分析
3.1 世界の高出力GaNデバイスのメーカー別販売数量（2020-2024）
3.2 世界の高出力GaNデバイスのメーカー別売上高（2020-2024）
3.3 世界の高出力GaNデバイスのメーカー別平均価格（2020-2024）
3.4 市場シェア分析（2024年）
3.4.1 高出力GaNデバイスのメーカー別売上および市場シェア(%)：2024年
3.4.2 2024年における高出力GaNデバイスメーカー上位3社の市場シェア
3.4.3 2024年における高出力GaNデバイスメーカー上位6社の市場シェア
3.5 高出力GaNデバイス市場:全体企業フットプリント分析
3.5.1 高出力GaNデバイス市場：地域別フットプリント
3.5.2 高出力GaNデバイス市場：製品タイプ別フットプリント
3.5.3 高出力GaNデバイス市場：用途別フットプリント
3.6 新規参入企業と参入障壁
3.7 合併、買収、契約、提携
4 地域別消費分析
4.1 世界の高出力GaNデバイスの地域別市場規模
4.1.1 地域別高出力GaNデバイス販売数量（2020年-2031年）
4.1.2 高出力GaNデバイスの地域別消費額（2020年-2031年）
4.1.3 高出力GaNデバイスの地域別平均価格（2020年-2031年）
4.2 北米の高出力GaNデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.3 欧州の高出力GaNデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.4 アジア太平洋の高出力GaNデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.5 南米の高出力GaNデバイスの消費額（2020年-2031年）
4.6 中東・アフリカの高出力GaNデバイスの消費額（2020年-2031年）
5 タイプ別市場セグメント
5.1 世界の高出力GaNデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
5.2 世界の高出力GaNデバイスのタイプ別消費額（2020年-2031年）
5.3 世界の高出力GaNデバイスのタイプ別平均価格（2020年-2031年）
6 用途別市場セグメント
6.1 世界の高出力GaNデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
6.2 世界の高出力GaNデバイスの用途別消費額（2020年-2031年）
6.3 世界の高出力GaNデバイスの用途別平均価格（2020年-2031年）
7 北米市場
7.1 北米の高出力GaNデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
7.2 北米の高出力GaNデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
7.3 北米の高出力GaNデバイスの国別市場規模
7.3.1 北米の高出力GaNデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
7.3.2 北米の高出力GaNデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
7.3.3 アメリカの市場規模・予測（2020年-2031年）
7.3.4 カナダの市場規模・予測（2020年-2031年）
7.3.5 メキシコの市場規模・予測（2020年-2031年）
8 欧州市場
8.1 欧州の高出力GaNデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
8.2 欧州の高出力GaNデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
8.3 欧州の高出力GaNデバイスの国別市場規模
8.3.1 欧州の高出力GaNデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
8.3.2 欧州の高出力GaNデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
8.3.3 ドイツの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.4 フランスの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.5 イギリスの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.6 ロシアの市場規模・予測（2020年-2031年）
8.3.7 イタリアの市場規模・予測（2020年-2031年）
9 アジア太平洋市場
9.1 アジア太平洋の高出力GaNデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
9.2 アジア太平洋の高出力GaNデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
9.3 アジア太平洋の高出力GaNデバイスの地域別市場規模
9.3.1 アジア太平洋の高出力GaNデバイスの地域別販売数量（2020年-2031年）
9.3.2 アジア太平洋の高出力GaNデバイスの地域別消費額（2020年-2031年）
9.3.3 中国の市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.4 日本の市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.5 韓国の市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.6 インドの市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.7 東南アジアの市場規模・予測（2020年-2031年）
9.3.8 オーストラリアの市場規模・予測（2020年-2031年）
10 南米市場
10.1 南米の高出力GaNデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
10.2 南米の高出力GaNデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
10.3 南米の高出力GaNデバイスの国別市場規模
10.3.1 南米の高出力GaNデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
10.3.2 南米の高出力GaNデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
10.3.3 ブラジルの市場規模・予測（2020年-2031年）
10.3.4 アルゼンチンの市場規模・予測（2020年-2031年）
11 中東・アフリカ市場
11.1 中東・アフリカの高出力GaNデバイスのタイプ別販売数量（2020年-2031年）
11.2 中東・アフリカの高出力GaNデバイスの用途別販売数量（2020年-2031年）
11.3 中東・アフリカの高出力GaNデバイスの国別市場規模
11.3.1 中東・アフリカの高出力GaNデバイスの国別販売数量（2020年-2031年）
11.3.2 中東・アフリカの高出力GaNデバイスの国別消費額（2020年-2031年）
11.3.3 トルコの市場規模・予測（2020年-2031年）
11.3.4 エジプトの市場規模推移と予測（2020年-2031年）
11.3.5 サウジアラビアの市場規模・予測（2020年-2031年）
11.3.6 南アフリカの市場規模・予測（2020年-2031年）
12 市場ダイナミクス
12.1 高出力GaNデバイスの市場促進要因
12.2 高出力GaNデバイスの市場抑制要因
12.3 高出力GaNデバイスの動向分析
12.4 ポーターズファイブフォース分析
12.4.1 新規参入者の脅威
12.4.2 サプライヤーの交渉力
12.4.3 買い手の交渉力
12.4.4 代替品の脅威
12.4.5 競争上のライバル関係
13 原材料と産業チェーン
13.1 高出力GaNデバイスの原材料と主要メーカー
13.2 高出力GaNデバイスの製造コスト比率
13.3 高出力GaNデバイスの製造プロセス
13.4 産業バリューチェーン分析
14 流通チャネル別出荷台数
14.1 販売チャネル
14.1.1 エンドユーザーへの直接販売
14.1.2 代理店
14.2 高出力GaNデバイスの主な流通業者
14.3 高出力GaNデバイスの主な顧客
15 調査結果と結論
16 付録
16.1 調査方法
16.2 調査プロセスとデータソース
16.3 免責事項
*** 表一覧 ***
・世界の高出力GaNデバイスのタイプ別消費額（百万米ドル、2020年対2024年対2031年）
・世界の高出力GaNデバイスの用途別消費額（百万米ドル、2020年対2024年対2031年）
・世界の高出力GaNデバイスのメーカー別販売数量
・世界の高出力GaNデバイスのメーカー別売上高
・世界の高出力GaNデバイスのメーカー別平均価格
・高出力GaNデバイスにおけるメーカーの市場ポジション（ティア1、ティア2、ティア3）
・主要メーカーの本社と高出力GaNデバイスの生産拠点
・高出力GaNデバイス市場:各社の製品タイプフットプリント
・高出力GaNデバイス市場:各社の製品用途フットプリント
・高出力GaNデバイス市場の新規参入企業と参入障壁
・高出力GaNデバイスの合併、買収、契約、提携
・高出力GaNデバイスの地域別販売量(2020-2031)
・高出力GaNデバイスの地域別消費額(2020-2031)
・高出力GaNデバイスの地域別平均価格(2020-2031)
・世界の高出力GaNデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・世界の高出力GaNデバイスのタイプ別消費額(2020-2031)
・世界の高出力GaNデバイスのタイプ別平均価格(2020-2031)
・世界の高出力GaNデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・世界の高出力GaNデバイスの用途別消費額(2020-2031)
・世界の高出力GaNデバイスの用途別平均価格(2020-2031)
・北米の高出力GaNデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・北米の高出力GaNデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・北米の高出力GaNデバイスの国別販売量(2020-2031)
・北米の高出力GaNデバイスの国別消費額(2020-2031)
・欧州の高出力GaNデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・欧州の高出力GaNデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・欧州の高出力GaNデバイスの国別販売量(2020-2031)
・欧州の高出力GaNデバイスの国別消費額(2020-2031)
・アジア太平洋の高出力GaNデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋の高出力GaNデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋の高出力GaNデバイスの国別販売量(2020-2031)
・アジア太平洋の高出力GaNデバイスの国別消費額(2020-2031)
・南米の高出力GaNデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・南米の高出力GaNデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・南米の高出力GaNデバイスの国別販売量(2020-2031)
・南米の高出力GaNデバイスの国別消費額(2020-2031)
・中東・アフリカの高出力GaNデバイスのタイプ別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカの高出力GaNデバイスの用途別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカの高出力GaNデバイスの国別販売量(2020-2031)
・中東・アフリカの高出力GaNデバイスの国別消費額(2020-2031)
・高出力GaNデバイスの原材料
・高出力GaNデバイス原材料の主要メーカー
・高出力GaNデバイスの主な販売業者
・高出力GaNデバイスの主な顧客
*** 図一覧 ***
・高出力GaNデバイスの写真
・グローバル高出力GaNデバイスのタイプ別売上（百万米ドル）
・グローバル高出力GaNデバイスのタイプ別売上シェア、2024年
・グローバル高出力GaNデバイスの用途別消費額（百万米ドル）
・グローバル高出力GaNデバイスの用途別売上シェア、2024年
・グローバルの高出力GaNデバイスの消費額（百万米ドル）
・グローバル高出力GaNデバイスの消費額と予測
・グローバル高出力GaNデバイスの販売量
・グローバル高出力GaNデバイスの価格推移
・グローバル高出力GaNデバイスのメーカー別シェア、2024年
・高出力GaNデバイスメーカー上位3社（売上高）市場シェア、2024年
・高出力GaNデバイスメーカー上位6社（売上高）市場シェア、2024年
・グローバル高出力GaNデバイスの地域別市場シェア
・北米の高出力GaNデバイスの消費額
・欧州の高出力GaNデバイスの消費額
・アジア太平洋の高出力GaNデバイスの消費額
・南米の高出力GaNデバイスの消費額
・中東・アフリカの高出力GaNデバイスの消費額
・グローバル高出力GaNデバイスのタイプ別市場シェア
・グローバル高出力GaNデバイスのタイプ別平均価格
・グローバル高出力GaNデバイスの用途別市場シェア
・グローバル高出力GaNデバイスの用途別平均価格
・米国の高出力GaNデバイスの消費額
・カナダの高出力GaNデバイスの消費額
・メキシコの高出力GaNデバイスの消費額
・ドイツの高出力GaNデバイスの消費額
・フランスの高出力GaNデバイスの消費額
・イギリスの高出力GaNデバイスの消費額
・ロシアの高出力GaNデバイスの消費額
・イタリアの高出力GaNデバイスの消費額
・中国の高出力GaNデバイスの消費額
・日本の高出力GaNデバイスの消費額
・韓国の高出力GaNデバイスの消費額
・インドの高出力GaNデバイスの消費額
・東南アジアの高出力GaNデバイスの消費額
・オーストラリアの高出力GaNデバイスの消費額
・ブラジルの高出力GaNデバイスの消費額
・アルゼンチンの高出力GaNデバイスの消費額
・トルコの高出力GaNデバイスの消費額
・エジプトの高出力GaNデバイスの消費額
・サウジアラビアの高出力GaNデバイスの消費額
・南アフリカの高出力GaNデバイスの消費額
・高出力GaNデバイス市場の促進要因
・高出力GaNデバイス市場の阻害要因
・高出力GaNデバイス市場の動向
・ポーターズファイブフォース分析
・高出力GaNデバイスの製造コスト構造分析
・高出力GaNデバイスの製造工程分析
・高出力GaNデバイスの産業チェーン
・販売チャネル： エンドユーザーへの直接販売 vs 販売代理店
・直接チャネルの長所と短所
・間接チャネルの長所と短所
・方法論
・調査プロセスとデータソース
★当レポートに関するお問い合わせ先(購入・見積)★
■ 英文タイトル：Global High Power GaN Devices Market 2025
■ レポートの形態：英文PDF
■ レポートコード：GIR24MKT326975
■ 販売会社：株式会社マーケットリサーチセンター（東京都港区新橋）
※下記イメージは当レポートと関係ありません。
